В стандартных HBM-чипах Samsung сама выпускает и кристалл памяти, и базовый системный кристалл. Для кастомной NVHBM компания, по сообщениям, готова отступить от этой схемы и поручить базовый кристалл TSMC. Seoul Economic Daily пишет о логическом base die в нижнем слое HBM-стека. Производство DRAM-кристаллов TSMC не передадут.
Изменение касается памяти HBM4E для инфраструктуры Nvidia. Стандартные чипы Samsung для других заказчиков здесь ни при чём. Seoul Economic Daily называет HBM4E седьмым поколением HBM, а NVHBM описывает как кастомную версию этой архитектуры.
Зачем Nvidia нужен техпроцесс TSMC
По опубликованным данным, Nvidia попросила выпускать базовые кристаллы NVHBM по 3-нм техпроцессу TSMC. Запрос, как сообщается, направлен Samsung. Nvidia хочет получить такую же конфигурацию и от SK hynix, и от Micron. Единая конструкция базового кристалла должна сократить различия между версиями памяти при проектировании и проверке систем искусственного интеллекта. Для логического кристалла, который будет выполнять функции контроллера памяти, важны плотность интеграции и выход годных изделий.
В публикации Seoul Economic Daily от 19 октября говорится, что перенос контроллера памяти в base die может увеличить пропускную способность NVHBM до 30%. Энергопотребление, по оценке издания, снизится на 15% по сравнению со стандартной HBM4E. В традиционной схеме контроллер размещают на кристалле GPU или другого вычислительного процессора. Площадь физического уровня NVHBM может оказаться на 60% меньше, чем у стандартной HBM.
Для Samsung это будет первый известный случай, когда компания отдаёт конкуренту производство чипа. Ранее она уже обращалась к TSMC за упаковкой некоторых микросхем.
Кристалл памяти останется за Samsung
Базовый кристалл может перейти к TSMC, но саму память NVHBM Samsung продолжит производить самостоятельно. Её core die останется на собственном процессе шестого поколения 1c. По данным Seoul Economic Daily, Samsung выпускает core die HBM4 и HBM4E на линиях 1c в кампусах Hwaseong и Pyeongtaek.
Стандартные чипы HBM4E для AMD и других клиентов Samsung тоже продолжит выпускать сама. В HBM4 компания уже применяет собственный 4-нм foundry-процесс для базового кристалла. Массовое производство этого продукта началось ранее в 2026 году. Для HBM4E Samsung проверяет готовность к массовому выпуску. На случай ограничений мощностей TSMC компания, по сообщениям, проверяет и запасной вариант: сможет ли Samsung Foundry производить базовые кристаллы NVHBM.
В материалах о серверных компонентах Samsung уже рассказывала, например, о серверных SSD. В случае с NVHBM возможное сотрудничество с TSMC касается базового кристалла для памяти Nvidia.
